漢磊(3707)在做什麼？公司業務介紹2026

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一、公司基本資料

• 漢磊科技(股票代號3707)為台灣上市公司，歸屬於半導體業中的晶圓代工次產業，公司全名為漢磊科技股份有限公司，英文名稱為Hana Microelectronics Corporation。
• 公司成立於1985年，於2001年在台灣證券交易所掛牌上市，股票簡稱漢磊，是國內老牌的功率半導體專業代工廠之一。
• 現任董事長為徐建華，實收資本額約33.2億元，目前市值約在150至200億元區間波動，顯示其在利基型代工市場的穩定地位。
• 根據公開資訊，公司主要經營半導體磊晶片製造與晶圓代工業務，涵蓋高壓MOSFET、IGBT、二極體及第三代半導體元件。
• 公司總部位於新竹科學園區，主要生產基地包括新竹的6吋廠與8吋廠，員工總數約1,200人，並設有海外研發與業務據點。
• 近期重大發展包括完成SiC產能擴建並取得車用認證，以及與國際IDM大廠簽訂長期供貨合約，鞏固其在第三代半導體領域的先發優勢。

丁、主要產品與服務

• 核心業務為功率半導體晶圓代工，提供從磊晶片製造到元件製程的一站式服務，技術節點涵蓋0.5微米至0.13微米，專注於高電壓(最高達1200V)與高電流應用。
• 主要產品包括功率MOSFET、IGBT、蕭特基二極體(SBD)及超接面MOSFET，廣泛應用於電源供應器、電動車逆變器、工業馬達驅動及太陽能逆變器等領域。
• 在第三代半導體方面，公司提供碳化矽(SiC)蕭特基二極體與MOSFET代工，以及氮化鎵(GaN)HEMT代工，鎖定高頻、高功率及高溫操作環境。
• 營收組合方面，矽基功率元件約佔營收70%，第三代半導體(SiC/GaN)約佔20%，其餘為類比IC與其他特殊製程，其中SiC營收占比正逐年快速攀升。
• 研發投入每年約佔營收6%至8%，專注於提升SiC/GaN製程良率、開發更高電壓(1700V以上)元件，以及優化8吋SiC晶圓生產技術。
• 生產流程特色在於擁有自有磊晶產能，可確保基板品質與供應穩定，並提供客戶從設計支援、光罩製作到晶圓測試的完整代工服務。

丂、市場地位與競爭優勢

• 漢磊在台灣功率半導體代工市場中排名前三大，與世界先進、力積電等業者形成差異化競爭，專注於高壓與特殊製程，避開成熟邏輯製程的紅海市場。
• 競爭優勢之一為擁有完整的6吋與8吋SiC量產經驗，是國內少數能提供車規級SiC代工服務的廠商，已通過AEC-Q101車用認證。
• 公司與多家國際IDM大廠建立長期合作關係，客戶包括英飛凌、意法半導體等，訂單能見度高，且不易被取代。
• 進入障礙方面，功率半導體代工需要深厚的製程經驗與客戶認證週期，新進者需耗時3至5年才能取得車規認證，形成天然護城河。
• 品牌知名度在業界極高，尤其在電動車與綠能領域，漢磊被視為可靠的合作夥伴，其技術能力與產能規模獲得客戶信賴。
• 國內外市場佔有率方面，漢磊在台灣SiC代工市佔率約30%，全球則約5%至8%，隨著產能擴充，市佔率有持續提升空間。

七、營運表現與財務概況

• 漢磊近年的營運表現參考下方財務表格，年營收規模約在70至90億元區間，每股盈餘(EPS)參考值約在1.5至3.5元之間，受景氣循環影響波動。
• 近期營運亮點包括SiC營收年增率超過50%，帶動產品組合優化，毛利率從過往的20%左右提升至近30%，獲利結構明顯改善。
• 配息政策方面，公司過去五年平均配息率約60%至70%，以現金股利為主，提供穩定的股東回報，惟股利金額隨獲利波動。
• 股價表現區間參考值約在40元至80元之間，受第三代半導體題材與實際獲利成長雙重影響，波動幅度較大。
• 重要子公司包括漢磊先進投資控股股份有限公司，負責海外業務拓展；另轉投資多家磊晶與設備相關公司，強化供應鏈垂直整合。

丄、未來展望與發展策略

• 展望未來，漢磊的發展策略包括持續擴充SiC與GaN產能，計劃在2026年前將8吋SiC月產能提升至1萬片，以滿足電動車與充電樁強勁需求。
• 公司將深化與國際IDM大廠的技術合作，共同開發下一代高壓功率元件，例如1700V SiC MOSFET與200V GaN IC，搶佔工業與車用市場。
• 產業趨勢方面，全球能源效率法規趨嚴與電動車滲透率提升，將直接帶動功率半導體用量倍增，漢磊作為關鍵代工廠將顯著受益。
• 新市場布局包括切入資料中心電源管理與航太國防領域，利用其高可靠性製程爭取認證，分散終端應用風險。
• 資本支出方面，公司預計未來三年每年投入約15至20億元用於設備擴充與研發，主要資金來源為自有現金與銀行融資。
• 潛在風險包括第三代半導體產能過剩疑慮、客戶訂單波動、以及新製程良率提升不如預期，需密切關注產業供需變化。

六、常見問與答